ترانزیستورها
ترانزیستور به زبان ساده
مقدمه
المان های الکتریکی را می توان به دو دسته تقسیم کرد. دسته ی اول المان هایی هستند که برای انجام وظیفه شان نیازمند منبع توان خارجی نیستند. بدیهی است که این المان ها نمی توانند توان در خروجی را افزایش دهند. دسته ی دوم المان هایی هستند که با استفاده از یک منبع توان خارجی توانایی افزایش توان خروجی را دارند. به این المان ها المان های اکتیو گفته می شود.
ترانزیستور مثال خوبی برای المان های اکتیو است.ترانزیستور المانی است که توانایی تقویت سگنال ورودی اش را دارد. دقت کنید که افزایش سطح ولتاژ به تنهایی به معنی تقویت سیگنال نیست. ترانسفورمر های افزاینده هم توانایی افزایش سطح ولتاژ را دارند ولی توان خروجی آن ها برابر با توان ورودی آن ها است. افزایش توان پارامتر بسیار مهمی برای مخترعین ترانزیستور بود. آن ها برای این که خودشان را قانع کنند که المان قابل استفاده ای را اختراع کرده اند، در اولین کاربرد عملی، سیگنال صدا را برای پخش از بلندگو تقویت کردند.
ترانزیستور قطعه ای مهم برای همه ی مدارات الکترونیکی است.از ساده ترین مدارات الکترونیکی تا مدار پیچیده ای مانند اسیلاتور ها و مدارات فشرده ی دیجیتال(مانند پردازنده های کامپیوترها) همگی از ترانزیستورها به عنوان المان کلیدی شان استفاده می کنند. مدارات مجتمع که امروزه به طرز گسترده ای جایگزین مدارات غیر مجتمع شده اند، معمولاً آرایه ای از ترانزیستورها هستند که روی یک چیپ پیاده شده اند.
انواع ترانزیستورها
۱- ترانزیستورهای پیوند دوقطبی: این ترازیستورها اولین نترانزیستورهایی بودند که توسط مخترعین آزمایشگاه های بل اختراع شدند. مخترعین این قطعه برای این کارشان در سال۱۹۵۶ جایزه ی نوبل فیزیک را کسب کردند.
۲- ترانزیستورهای اثر میدانی: طرح اولیه ی این ترانزیستورها قبل از ترانزیستورهای پیوند دوقطبی در سال ۱۹۲۶ ارائه شد. ولی پیاده سازی آن ها بعد ها در سال ۱۹۵۹ عملی شد. امروزه این ترانزیستورها در مدارهای دیجیتال به طور گسترده ای جایگزین ترانزیستورهای دو قطبی شده اند.
ترانزیستورهای پیوند دوقطبی دقت بالاتری دارند و نویزپذیری آن ها در مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدانی بسیار کمتر است ولی از طرف دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی مقاومت خروجی بالاتری دارند و توان کمتری مصرف می کنند و به علاوه توانایی سوییچ کردن جریان های بالاتری را هم دارند.
کارمان را با ترانزیستورهای اثر میدانی شروع می کنیم.در ادامه مطالبی در مورد ترانزیستورهای اثر میدانی آورده خواهد شد.
ساختار ترانزیستور
در اینجا قصد کالبد شکافی ترانزیستور و تحلیل عملکرد آن در سطح فیزیک حالت جامد را نداریم. در عوض قصد داریم با ارائه ی مفاهیم لازم و ضروری از نحوه ی عملکرد ترانزیستور، تحلیل و طراحی مدار را با استفاده از آن را برای خواننده آسان تر کنیم. ارائه ی مدل هیبرید پای که در درس های دانشگاهی مرسوم است ما را از فهم عملکرد ترانزیستور در مدارهای کاربردی رایج دور می کند. به همین خاطر قصد داریم مدلی را از ترانزیستور ارائه کنیم که تا حد لازم گویای عملکرد آن باشد.
ترانزیستورهای دوقطبی از دو پیوند PN تشکیل شده اند. در شکل زیر ساختار یک ترانزیستور دوقطبی به همراه مولفه های جریان در این ترانزیستور آورده شده اند.

از ارائه ی توضیحات بیشتر در مورد فیزیک ترانزیستور خودداری می کنم و مطمئن هستم که در این مورد به منابع متعددی می توانید مراجعه کنید!
اولین مدل ترانزیستور: مدل تقویت کننده ی جریان
ترانزیستورهای پیوند دوقطبی در دو نوع NPN و PNP ساخته می شوند. در شکل زیر نمادهای مداری این دو نوع ترانزیستور آورده شده است.

همانطور که مشاهده می شود، ترانزیستور سه پایه دارد که به ترتیب C یا کالکتور، B یا بیس و E یا امیتر نام دارند.
در مدل تقویت کنندگی جریان فرض می کنیم قواعد زیر بر یک ترانزیستور NPN برقرار است.
- قاعده ی جهت(Polarity) : ولتاژ C باید مثبت تر از ولتاژ E باشد.
- قاعده ی پیوندها(Junctions) : در عمل اتصال BC و BE یک پیوند نیمه هادی PN هستند. اگر این دو پیوند را مانند دو دیود در نظر بگیریم، دیود BE باید بایاس مستقیم(ولتاژ بیس از امیتر بیشتر باشد) و دیود BC باید بایاس معکوس(ولتاژ بیس از کالکتور کمتر باشد) باشد. ولی توجه داشنته باشید که در عمل و در طراحی و تحلیل مدار ا اثر دیودی پیوند BC صرفنظر می شود.
- قاعده ی ماکزیمم مقادیر(Maximum Ratings): در هر ترانزیستوری مقادیر بیشینه ای برای بعضی از پارامترها تعیین می شود که فراتر رفتن از آن ها منجر به آسیب دیدن ترانزیستور یا عملکرد نادرست آن می شود. توان مصرفی، دمای کاری، جریان کالکتور، جریان بیس، ولتاژ میان کالکتور و امیتر و ولتاژ میان بیس و امیتر از جمله پارامتر های مهم هر ترانزیستور هستند که بیشینه ی مشخصی دارند. برای فراتر رفتن بیشینه ی این پارامترها باید پول بیشتری خرج کنیم.
- قاعده ی تقویت(Amplification) : اگر قواعد ۱ تا ۳ برقرار باشند ترانزیستور خاصیت تقویت کنندگی جریان خواهد داشت. رابطه ی تقویت کنندگی جریان به شرح زیر است:
Ic = hFE*Ib = β*Ib
که در آن Ic جریان وارد شونده به کالکتور و Ib جریان وارد شونده به بیس است. به hFE بهره ی جریان گفته می شود و مقدار آن بین ۵۰ تا ۲۵۰ است و بسته به پارامترهای فیزیکی ترانزیستور دارد.
معادله ی فوق خاصیت تقویت کنندگی را به ما نشان می دهد: اگر جریان کمی از بیس بگذرد، جریان بسیار بالاتری از کالکتور به امیتر جاری خواهد شد. درست است که ترانزیستور به صورت ذاتی می تواند جریان خروجی را چند صد برابر کند ولی نباید روی β آن حساب باز کنیم. زیرا β یک ترانزیستور مشخص به شدت وابسته به دما، جریان کالکتور(Ic)، ولتاژ میان کالکتور و امیتر(VCE) و پروسه ی ساخت ترانزیستور است. برای یک ترانزیستور مشخص β می تواند تحت شرایط مختلف در بازه ی وسیعی( از ۵۰ تا ۲۵۰) تغییر کند که طراحی بر پایه ی آن منجر به عملکرد نا مطمئن مدار در شرایط مختلف می شود.
نکته ی مهم دیگری که باید به آن توجه شود این است که با توجه به قاعده ی ماکزیمم مقادیر نمی توان هر ولتاژ دلخواهی به بیس ترانزیستور اعمال کرد. زیرا ممکن است جریان زیادی از بیس به امیتر عبور کند و ترانزیستور آسیب ببیند.
قوانین ذکر شده با پلاریته ی معکوس برای ترانزیستور PNP هم برقرار خواهد بود:
- قاعده ی جهت(Polarity) : ولتاژ C باید منفی تر از ولتاژ E باشد.
- قاعده ی پیوندها(Junctions) : در عمل اتصال BC و BE یک پیوند نیمه هادی PN هستند. اگر این دو پیوند را مانند دو دیود در نظر بگیریم، دیود BE باید بایاس مستقیم(ولتاژ بیس از امیتر کمتر باشد) و دیود BC باید بایاس معکوس(ولتاژ بیس از کالکتور بیشتر باشد) باشد.
- قاعده ی ماکزیمم مقادیر(Maximum Ratings): در هر ترانزیستوری مقادیر بیشینه ای برای بعضی از پارامترها تعیین می شود که فراتر رفتن از آن ها منجر به آسیب دیدن ترانزیستور یا عملکرد نادرست آن می شود.
- قاعده ی تقویت(Amplification) : اگر قواعد ۱ تا ۳ برقرار باشند ترانزیستور خاصیت تقویت کنندگی جریان خواهد داشت.
یک مدار ابتدایی ترانزیستوری
- کلید ترانزیستوری: مدار روبرو یک مدار ساده ی ترانزیستوری را نشان می دهد. در این مدار جریان بسیار کمی به بیس اعمال می شود که منجر به عبور جریان بسیار زیادتری از کالکتور می شود. در واقع با تحریک بیس مسیر جریان برای عبور از کالکتور باز می شود. به این مدار اصطلاحاً کلید ترانزیستوری گفته می شود.

حال مدار فوق را بیشتر مورد تحلیل قرار می دهیم. اگر کلید باز باشد، جریانی از بیس ترانزیستور عبور نمی کند. پس جریانی هم از کالکتور عبور نمی کند و ترانزیستور خاموش می ماند. به محض اتصال کلید دیود BE بایاس مستقیم می شود و ولتاژ بیس به ۰٫۶ ولت خواهد رسید. به این ترتیب ولتاژ دو سر مقاومت ۹٫۴ ولت خواهد شد و جریان ۹٫۴ میلی آمپر از مقاومت عبور خواهد کرد
به این ترتیب با توجه به قاعده ی تقویت انتظار خواهیم داشت.حدود ۱۰۰ برابر این مقدار جریان از کالکتور عبور کند.ولی این اتفاق نمی افتد، زیرا کافی است تنها ۱۰۰ میلی آمپر جریان از لامپ عبور کند تا ولتاژ دو سر آن به ۱۰ ولت برسد. در این صورت ولتاژ میان کالکتور و امیتر به صفر می رسد. در صورت فراتر رفتن جریان از این مقدار قاعده ی جهت نقض می شود. لذا ترانزیستور نخواهد توانست جریانش را فراتر از ۱۰۰ میلی آمپر ببرد. در این حالت اصطلاحاً گفته می شود که ترانزیستور اشباع شده است. در حالت اشباع با افزایش جریان بیس، جریان عبوری از کالکتور افزایش نمی یابد.
نکات طراحی مدار
- اگر به مقادیر مدار فوق دقت کنید جریان ۱ میلی آمپر برای بیس کافی بود تا جریان لازم برای لامپ تامین شود ولی در این مدار جریان ۹٫۴ میلی آمپر به بیس تزریق می شود. در این طراحی از روش محافظه کارانه تری استفاده شده: در صورتی که بار بخواهد جریان بیشتری از منبع بکشد تا به ولتاژ نامی برسد امکان آن وجود خواهد داشت. در مورد لامپ ها مقاومت آن ها در حالت سردشان کمتر است و لذا قبل از گرم شدن حدود ۵ تا ۱۰ برابر بیشتر جریان مصرف می کنند. لذا با انتخاب جریان بیشتر از مقدار نامی برای بیس امکان راه اندازی بار با جریان های بالاتر را هم فراهم کرده ایم. البته در حالت کلی به علت وابسته بودن بهره ی جریان ترانزیستور به ولتاژ میان کالکتور و امیتر بهتر است جریان زیادتری به بیس ترانزیستور تزریق شود.
- در عمل بیس ترانزیستور را با یک مقاومت با مقدار بالا به زمین وصل می کنند. این کار در حالت روشن تاثیری روی ترانزیستور ندارد و در حالت خاموش نیز خاموش ماندن ترانزیستور در اثر نویزهای محیطی را تضمین می کند.
- اگر محل اتصال بار و کلکتور ممکن است ولتاژ منفی بگیرد، از یک دیود سری با بار یا یک دیود با اتصال معکوس به زمین استفاده کنید تا دیود BC از حالت بایاس معکوس خارج نشود. این اتفاق در سوییچ کردن ولتاژهای متناوب یا در بار های سلفی می افتد.
- در بارهای سلفی ترانزیستور را با استفاده از یک دیود موازی به بار محافظت کنید. بدون حضور دیود در حالتی که کلید باز می شود، با توجه به رابطه ی ولتاژ جریان سلف، ولتاژ بسیار زیادی دو سر سلف القا می شود و ولتاژ کالکتور بسیار بالا می رود که در این صورت حتی احتمال خرابی ترانزیستور هم وجود خواهد داشت.
ولی باید خودمان را با ترانزیستور و همه ی پیچیدگی هایش اذیت کنیم، در حالی که می توانیم کلید را مستقیم به لامپ وصل کنیم؟
- ترانزیستور کلیدی است که با ورودی الکتریکی فعال می شود. یعنی مدار الکترونیکی دیگری می تواند آن را روشن یا خاموش کند.
- کلید های ترانزیستوری امکان سوییچینگ با سرعت های بسیار بالا را فراهم می آورند.
- اگر از ترانزیستور استفاده کنیم، می توانیم چند مدار را به صورت همزمان خاموش یا روشن کنیم.
- در کلیدهای مکانیکی مشکل Bouncing وجود دارد که باعث می شود در لحظه ی اتصال کلید، کلید چند بار قطع و وصل شود.
مثال هایی از مدارات سوییچینگ ترانزیستوری
مدار درایو LED
LED ها به طور گسترده ای جایگزین لامپ های رشته ای قدیمی شده اند. در گذشته برای مانیتورینگ سیگنال ها از لامپ های رشته ای کوچک استفاده می شد ولی امروزه LED ها به طور کامل جای آن ها را گرفته اند. علت فراگیر شدن آن ها قیمت مناسب، تنوع رنگ و عمر بسیار بالای آن ها است. این دیودها از نظر الکتریکی مشابه دیودهای یکسوساز هستند با این تفاوت که افت ولتاژ در دو سر آن ها بیشتر(حدود ۱٫۵ تا ۳٫۵ ولت) است. این به این معنی است که وقتی به تدریج ولتاژ دو سر آن ها را افزایش می دهیم، تا حدود ۱٫۵ ولت جریانی از آن ها عبور نمی کند، ولی پس از آن با افازیش ولتاژ جریان عبوری از آن ها به شدت افزایش می یابد. در LED ها جریان هایی حدود ۱۰ تا ۲۰ میلی آمپر نور خیره کننده ای تولید می کنند.

برای درایو LED راه حل های مختلفی وجود دارد. یک راه ساده ی آن استفاده از ترانزیستور است. اگر از همان مداری که برای لامپ استفاده کردیم برای LED نیز استفاده کنیم، LED دود خواهد کرد.
فرض کنید می خواهیم یک سیگنال دیجیتال ۳٫۳ ولتی را نمایش دهیم، به این معنی که اگر آن سیگنال فعال باشد، LED روشن شود و در غیر اینصورت LED خاموش بماند. در برخی موارد از سیگنال های دیجیتال نمی توان به صورت مستقیم جریان کشید. فرض کنید حداکثر جریانی که سیگنال می تواند تامین کند ۱ میلی آمپر باشد. این جریان برای روشن کردن LED با نور کافی بسیار کم است.
پروسه ی طراحی مدار مورد نظر بسیار ساده است. ابتدا یک LED پیدا کنید که در جریان مشخصی(فرض کنید ۵ میلی آمپر) روشنایی قابل قبولی داشته باشد. جریان آن را با استفاده از یک ترانزیستور NPN سوییچ کنید. برای مقدار مقاومت کالکتور هم مقداری انتخاب کنید که با احتساب افت ولتاژ در دیود جریان کافی از کالکتور عبور کند. مقاومت بیس را هم محتاطانه انتخاب کنید(مثلاً برای ۲۵ = β ) تا از عملکرد ترانزیستور در حالت اشباع مطمئن شوید.
تغییر یافته ی مدار درایور LED
همانطور که در شکل بالا مشاهده می کنید، یک سمت بار به تغذیه وصل است و طرف دیگر به زمین وصل می شود. ولی اگر این محدودیت را داشته باشیم که یک سر بار حتماً به زمین وصل شود، و سر دیگر به ولتاژ مثبت سوییچ شود از چه راه حلی باید استفاده کنیم؟
جواب این است که کافیست به سادگی به جای ترانزیستور NPN از PNP استفاده کنیم! در این حالت امیتر ترانزیستور باید به تغذیه ی مثبت و کالکتور آن باید به سر بار وصل شود. این آرایش در شکل زیر قابل مشاهده است.

در مدار فوق اگر ولتاژ بیس مثبت باشد(در اینجا ۱۵ ولت) ترانزیستور در حالت قطع است و جریانی از آن عبور نخواهد کرد. کافی است ولتاژ بیس به زمین وصل شود تا ترانزیستور وارد ناحیه ی اشباع شود و جریان از آن عبور کند. با فرض زمین شدن بیس، جریانی حدود ۴ میلی آمپر از بیس خارج خواهد شد.که با فرض β > 50 خواهد توانست بارهایی تا ۴۰۰ میلی آمپر را به راحتی درایو کند. اشکال روش به کار رفته شده در مدار بالا این است که باید ولتاژ بیس را روی ۱۵ ولت نگه داریم تا کلید خاموش بماند. ما ترجیح می دهیم تا با ولتاژ ۳ ولتی که ولتاژ رایج برای مدارهای دیجیتالی است کلید را روشن و با ولتاژ صفر ولت آن را خاموش کنیم. مدار لازم برای این کار در شکل زیر آورده شده است.

در این مدار Q2 ولتاژ ۰ یا ۳ ولتی را می گیرد و می تواند کالکتورش را به زمن قطع یا وصل کند. اگر Q2 خاموش باشد، R3 ترانزیستور Q3 را خاموش نگه می دارد. با روشن شدن ترانزیستور Q2 در حالت اشباع، R2 امکان سینک شدن جریان بیس Q3 را فراهم خواهد کرد.
ترانزیستور و انواع آن
ترانزیستورها یک قطعه نیمه رسانای سه پایه هستند که برای تنظیم جریان یا برای تقویت سیگنال ورودی به یک سیگنال خروجی بزرگتر مورد استفاده قرار میگیرند. ترانزیستورها نیز برای تغییر سیگنال های الکترونیکی استفاده می شوند.جریان الکتریکی در تمام انواع ترانزیستورها با افزودن الکترون تنظیم می شود.این فرآیند, تغییرات در ولتاژ را ایجاد می کند تا تغییرات نسبتا بزرگتری در جریان خروجی ایجاد کند و باعث تقویت گردد.
تقریبا هر دستگاه الکترونیکی شامل حداقل یک یا چند نوع ترانزیستور است.آنها به عنوان تقویت کننده ها و ابزارهای سوئیچینگ استفاده می شوند.به عنوان تقویت کننده، آنها در مراحل فرکانس بالا و پایین، نوسانگرها، مدولاتورها، آشکارسازها استفاده می شوند.در مدارهای دیجیتال آنها به عنوان سوئیچ ها استفاده می شوند.

انواع ترانزیستور:
انواع مختلفی از ترانزیستورها وجود دارد و هر کدام از آنها ویژگی های مختلفی دارند و هر یک دارای مزایا و معایب خاص خود است.در زیر لیستی از انواع ترانزیستورها را نشان می دهیم؛و به شرح ویژگی هایی که هر کدام از آنها ایجاد می کند، می پردازیم.
ترانزیستورهای اتصال دو قطبی (Bipolar Junction Transistors ):
ترانزیستورهای اتصال دو قطبی ترانزیستورهایی هستند که از ۳ ناحیه، بیس، کلکتور و امیتر ساخته شده اند.ترانزیستورهای دو قطبی، بر خلاف ترانزیستورهای FET، ابزارهای کنترل جریان هستند.جریان کوچکی که به بیس ترانزیستور وارد می شود باعث عبورجریان بسیار زیادی از امیتر به ناحیه کلکتور می شود.
ترانزیستورهای پیوند دوطرفه در دو نوع اصلی، NPN و PNP قرار می گیرند.ترانزیستور NPN , اکثر حامل های آن الکترون ها هستند.ترانزیستورهای PNP مخالف هستند.در ترانزیستورهای PNP، اکثر حامل های آن حفره ها هستند.به طور کلی، ترانزیستوردو قطبی تنها نوع ترانزیستور است که توسط ورودی جریان (ورودی به بیس) روشن می شود.این به این علت است که BJT ها کمترین امپدانس ورودی در تمام ترانزیستورها را دارند.امپدانس کم (یا مقاومت) اجازه می دهد جریان از طریق بیس ترانزیستور جاری شود.به خاطر این امپدانس کم، BJT ها دارای بیشترین خاصیت تقویت کنندگی در بین ترانزیستورها هستند.

ترانزیستور اثر میدان:
ترانزیستورهای میدان مغناطیسی ترانزیستورها هستند که از ۳ ناحیه تشکیل شده است،گیت، سورس و درین.بر خلاف ترانزیستورهای دوقطبی، FET ها ابزارهای کنترل ولتاژ هستند.ولتاژ قرار داده شده در گیت جریان عبوری را از سورس به درین ترانزیستور کنترل می کند.ترانزیستورهای Field Effect دارای امپدانس ورودی بسیار بالا هستند، از چند مگااهم (MΩ) تا مقاومت های بسیار بزرگتر.این امپدانس ورودی بالا باعث می شود تاجریان بسیار کمی از آن عبور کنند.(با توجه به قانون اهم، جریان به طور معکوس تحت تاثیر امپدانس مدار قرار دارد. اگر مقاومت امپدانس بالا باشد، جریان بسیار کم است). بنابراین FET ها جریان را از منبع قدرت مدار می گیرند.بنابراین، این ایده آل است زیرا آنها عناصر قدرت مدار را که به آنها متصل هستند را، مختل نمی کنند.
ترانزیستورهای Field Effect در ۲ نوع اصلی قرار می گیرند: JFET ها و MOSFET ها.JFET ها و MOSFET ها بسیار شبیه هستند اما MOSFET ها دارای امپدانس ورودی بالاتر از JFET ها هستند.این باعث می شود که بارگیری کمتری در یک مدار اتفاق بیوفتد.

انواع ترانزیستورها به تفکیک عملکرد:
- ترانزیستورهای سیگنال کوچک:
ترانزیستورهای سیگنال کوچک ترانزیستورهایی هستند که در درجه اول برای تقویت سیگنال های سطح پایین استفاده می شوند، اما همچنین می توانند به خوبی به عنوان سوئیچ ها عمل کنند.
ترانزیستورها با مقادیر hFE می آیند، که نشان می دهد که چقدر ترانزیستور می تواند سیگنال های ورودی را تقویت کند.مقادیر hFE معمولی برای ترانزیستورهای سیگنال کوچک از ۱۰ تا ۵۰۰، با حداکثر Ic (جریان کلکتور) از حدود ۸۰ تا ۶۰۰mA است.آنها به شکل NPN و PNP می آیند.حداکثر فرکانس های عملیاتی حدود ۱ تا ۳۰۰ مگاهرتز است.
به عنوان یک یادداشت، ترانزیستور سیگنال کوچک در ابتدا برای تقویت سیگنال های کوچک مانند ولتاژ کم و تنها با استفاده ازجریان چند میلی آمپر استفاده می شود. هنگام استفاده از ولتاژ و جریان بیشتر (قدرت بزرگتر)، ترانزیستور برق باید استفاده شود.
- ترانزیستور سوئیچ کوچک(Small Switching Transistors )
این ترانزیستورها عمدتا به عنوان سوئیچ ها استفاده می شوند اما همچنین می توانند به عنوان تقویت کننده مورد استفاده قرار گیرند.مقادیر hFE معمولی برای این ترانزیستورهااز ۱۰ تا ۲۰۰، با حداکثر مقدار Ic از حدود ۱۰ تا ۱۰۰۰mA است.آنها به شکل NPN و PNP می آیند.
از لحاظ طراحی، این ترانزیستورها به طور عمده به عنوان سوئیچ استفاده می شود.اگر چه آنها می توانند به عنوان تقویت کننده استفاده شوند، مقدار hFE آنها تنها به حدود ۲۰۰ محدوده می شود، به این معنی که آنها قادر به تقویت ترانزیستور های سیگنال کوچک نیستند. این باعث می شود که این ترانزیستورها برای switching مفید باشند.، هر چند آنها می توانند به عنوان تقویت کننده های اصلی برای به دست آوردن gain استفاده شوند.

- ترانزیستورهای قدرت:
ترانزیستورهای قدرت برای کاربردهایی که در آن مقدار زیادی از برق مورد استفاده قرار می گیرد مناسب است.کلکتور ترانزیستور به یک پایه فلزی متصل است که به عنوان یک حفره گرما عمل می کند تا قدرت بیش از حد را از بین ببرد.رنج های معمولی قدرت از حدود ۱۰ تا ۳۰۰ وات، با نرخ فرکانس از حدود ۱ تا ۱۰۰ مگاهرتز است.حداکثر مقدار Ic در محدوده بین ۱ تا ۱۰۰ است. ترانزیستورهای قدرت در فرم های NPN، PNP و Darlington (NPN یا PNP) قرار می گیرند.

- ترانزیستورهای فرکانس بالا:
ترانزیستورهای فرکانس بالا (RF) ترانزیستورهایی هستند که برای سیگنال های کوچک استفاده می شوند که در فرکانس های بالا برای برنامه های سوئیچینگ با سرعت بالا اجرا می شوند.اینها ترانزیستورهایی هستند که برای سیگنال های فرکانس بالا استفاده می شوند و باید قادر به روشن و خاموش شدن با سرعت بسیار بالا باشند.ترانزیستورهای با فرکانس بالا در HF، VHF، UHF، CATV، و تقویت کننده MATV و برنامه های نوسان ساز استفاده می شود.آنها دارای حداکثر رتبه فرکانس در حدود ۲۰۰۰ مگاهرتز و حداکثر جریان Ic از ۱۰ تا ۶۰۰mA است.آنها در هر دو شکل npn و pnp در دسترس هستند.

- فوتوترانزیستور:
فوتو ترانزیستورها, ترانزیستورهای حساس به نور هستند.یک نوع معمولی فوتو ترانزیستور, شبیه یک ترانزیستور دو قطبی است و سرب بیس آن برداشته شده و با یک ناحیه حساس به نور جایگزین شده است.به همین دلیل یک فوتو ترانزیستور فقط ۲ پایه به جای ۳ پایه دارد. وقتی این سطح در تاریکی نگه داشته شود، دستگاه خاموش است.تقریبا هیچ جریانی از کلکتور به امیتر نمی رود.با این حال، هنگامی که منطقه حساس به نور در معرض نور قرار می گیرد، یک جریان بیس کوچک تولید می شود که جریان بسیار زیادی را از کلکتور به امیتر کنترل می کند.
مثل ترانزیستورهای عادی، فوتو ترانزیستورها می توانندبه عنوان هر دو ترانزیستور دو قطبی یا میدان عمل باشند.

- ترانزیستور یکپارچه(Unijunction Transistors )
ترانزیستورهای یکپارچه ترانزیستور های ۳پایه هستند که به طور انحصاری به عنوان سوئیچ های الکتریکی کنترل می شوند؛آنها به عنوان تقویت کننده استفاده نمی شوند. سه پایه ترانزیستور B1، B2 و یک امیتر سربی است که سرب جریان ورودی را دریافت می کند.عملیات UJT نسبتا ساده است.هنگامی که اختلاف پتانسیلی (ولتاژ) بین امیتر و هر یک از پایه های اصلی آن وجود ندارد (B1 یا B2)، تنها یک جریان کوچک از B2 به B1 جریان می یابد.

نمادهای ترانزیستورها:

Transistor symbols: a – bipolar, b – FET, c – MOSFET, d – dual gate MOSFET,
e – inductive channel MOSFET, f – single connection transistor
حرف اول در ترانزیستورها:
ساختمان ترانزیستورها معمولا سیلیکون هستند (حرف B) یا ژرمانیوم (علامت گذاری آنها دارای حرف A است).ترانزیستور اصلی از ژرمانیوم ساخته شده، اما بسیار حساس به دما بود.ترانزیستورهای سیلیکون بسیار مقاوم در برابر دما و بسیار ارزان تر برای تولید است.
حرف دوم در ترانزیستورها:
C – low and medium power LF transistor
D – high power LF transisto
F – low power HF transistor
G – other transistors
L – high power HF transistors
P – photo transistor
S – switch transistor
U – high voltage transistor
چند مثال:
AC540 – germanium core, LF, low power
AF125 – germanium core, HF, low power
BC107 – silicon, LF, low power (0.3W)
BD675 – silicon, LF, high power (40W)
BF199 – silicon, HF (to 550 MHz)
BU208 – silicon (for voltages up to 700V)
BSY54 – silicon, switching transistor
حرف سوم (R و Q – ترانزیستورهای مایکروویو یا X –ترانزیستور سوئیچ ) میباشد.شماره پس از این حروف برای کاربران اهمیتی ندارد.
تولید کنندگان ترانزیستور آمریکایی علامت های مختلف دارند، با پیشوند ۲N و عدد (۲N3055، به عنوان مثال).این علامت شبیه علامت دیود است که دارای یک پیشوند ۱N (به عنوان مثال ۱N4004) است.
مهم است که یک کاتالوگ سازنده یا یکدیتاشیت داشته باشید تا بدانید که سرب به کدام قسمت ترانزیستور متصل است.







































![Rendered by QuickLaTeX.com \[P = VI = \frac{{{V^2}}}{R} = R{I^2}\]](http://tabin.ir/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-86a3a0e96053b4bad5c1454b1cb74641_l3.png)



![Rendered by QuickLaTeX.com \[\frac{1}{{{{\mathop{\rm R}\nolimits} _{eq}}}} = \frac{1}{{{R_1}}} + \frac{1}{{{R_2}}} + \frac{1}{{{R_3}}} \simeq 1.9k\Omega \]](http://tabin.ir/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-f8625137e63f5654ce67e533be5b5167_l3.png)


دسترسی به منابع واطلاعات الکترونیک